IRL6297SD MOSFET

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 N-CH 60V 10A 2,846库存量
¥20.1818
¥9.9214
¥8.6897
¥6.9834
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 3.7 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 N-CH 60V 50A 5,117库存量
6,000预期 2026/11/26
¥33.0073
¥18.2834
¥16.4641
¥13.56
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms 10 V 1 V 66 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V 3,483库存量
12,000在途量
剪切带
¥46.4882
¥24.3176
¥22.1706
¥18.6902
卷轴
¥18.6902
最低: 1
倍数: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 40 V 478 A 600 uOhms 20 V 1 V 267 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 10A
1,162库存量
700预期 2027/2/15
¥16.6223
¥9.8423
¥6.893
¥5.8082
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms 10 V 2 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay / BC Components MOSFET TO263 N-CH 60V 10A
无库存交货期 18 周
剪切带
¥20.2609
¥9.9214
¥8.7688
¥6.6331
卷轴
¥5.8534
最低: 1
倍数: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V 无库存交货期 52 周
剪切带
¥11.7407
最低: 25,600
倍数: 25,600
: 800
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 254 A 1.5 mOhms 20 V 1 V 91 nC - 55 C + 175 C 231 W Enhancement Reel
Vishay / BC Components MOSFET TO263 N-CH 60V 10A
无库存交货期 18 周
剪切带
¥20.1818
¥12.8255
¥8.6897
¥5.9777
卷轴
¥5.9099
最低: 1
倍数: 1
: 800
Si Reel, Cut Tape