IRL7486M MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET 40V Single N-Channel HEXFET 3,489库存量
剪切带
¥21.922
¥12.4865
¥11.0853
¥9.0965
卷轴
¥8.1925
最低: 1
倍数: 1
: 4,800
Si SMD/SMT DirectFET-ME N-Channel 1 Channel 40 V 209 A 2 mOhms 20 V 1 V 76 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl 14,001库存量
156,000在途量
剪切带
¥4.633
¥2.7007
¥1.9323
¥1.3221
¥1.1639
卷轴
¥0.62828
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.1 A 46 mOhms 12 V 1.8 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 130A 66.7nC 6.5mOhm LogLvAB 157库存量
¥36.8945
¥24.3176
¥18.6902
¥18.0348
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 9 mOhms 16 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube