IRLB3813 MOSFET

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg 9,298库存量
¥23.2441
¥11.4921
¥10.3395
¥8.2716
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 260 A 1.95 mOhms 20 V 1.9 V 86 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HEXFET Tube
Infineon Technologies MOSFET N/A
Si
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 30V 78A 3.2mOhm 36nC Qg 4,523库存量
¥18.4416
¥8.9383
¥7.9665
¥6.3393
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 78 A 4.2 mOhms 20 V 1.8 V 54 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement HEXFET Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 30V 78A 4.8mOhm 15nC Qg 702库存量
¥13.56
¥6.3958
¥5.5822
¥4.4635
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 92 A 6.8 mOhms 20 V 1.8 V 23 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement HEXFET Tube