IRLB4030PBF MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC 4,033库存量
¥47.1436
¥30.9394
¥23.0746
¥20.1027
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.5 mOhms 16 V 1.8 V 130 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRLB4030PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
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Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.3 mOhms 20 V 2.5 V 87 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube