IRLB4132 MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V
数据表
2,924库存量
¥19.7637
¥9.7632
¥7.8874
¥6.7461
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最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 2.5 mOhms 20 V 1.35 V 54 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET
数据表
N/A
Si