IRLB8314 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V
数据表
5,501库存量
¥20.2609
¥9.9214
¥8.8479
¥7.0738
¥6.0681
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 171 A 1.9 mOhms 20 V 1.7 V 40 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement HEXFET Tube
Infineon Technologies MOSFET
数据表
N/A
Si