IRLHS6376 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
12,500在途量
剪切带
¥9.1869
¥5.4805
¥3.5369
¥2.4634
¥2.3278
卷轴
¥1.7402
最低: 1
倍数: 1
: 4,000
Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 30 V 3.6 A 63 mOhms 12 V 1.8 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N/A
Si