ISC011N03L5S MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET TRENCH <= 40V
数据表
不可用
Si Reel
Infineon Technologies MOSFET TRENCH <= 40V
数据表
9,518库存量
剪切带
¥15.7183
¥7.5258
¥5.6726
¥4.7347
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卷轴
¥4.2827
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.1 mOhms 20 V 1.2 V 36 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement OptiMOS ~ StrongIRFET Reel, Cut Tape