ISC019N03L5S MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V
数据表
N/A
Si Reel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V
数据表
6,300库存量
剪切带
¥15.6279
¥7.4467
¥5.537
¥4.6104
查看
卷轴
¥4.2262
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.9 mOhms 20 V 1.2 V 22 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS ~ StrongIRFET Reel, Cut Tape