IXFH14N80 MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装

IXYS MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds 无库存
¥100.7508
¥83.8686
¥74.7721
¥69.8114
最低: 30
倍数: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 700 mOhms 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET DIODE Id14 BVdass800 389库存量
30预期 2027/1/18
¥88.5016
¥48.0589
¥44.4203
¥43.5954
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 720 mOhms 30 V 5.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh 876库存量
¥56.0819
¥37.5499
¥30.1936
¥26.8036
¥21.5039
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 400 mOhms 30 V 3 V 43.6 nC - 65 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube