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IXFK120N25 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds IXFK120N25 IXYS 25: ¥128.4584 无库存 NRND	制造商零件编号 IXFK120N25 Mouser 零件编号 747-IXFK120N25 NRND	IXYS	MOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds	数据表	无库存	¥128.4584 ¥110.9999 ¥105.1352 ¥98.1857	最低： 25 倍数： 25			Si	Through Hole	TO-264-3	N-Channel	1 Channel	250 V	120 A	22 mOhms	20 V	- 55 C	+ 150 C	560 W	Enhancement	HyperFET	Tube
	MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds IXFK120N25P IXYS 1: ¥177.5908 无库存交货期 21 周	制造商零件编号 IXFK120N25P Mouser 零件编号 747-IXFK120N25P	IXYS	MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds 了解更多关于IXYS 900v hiperfet 的信息	数据表	无库存交货期 21 周	¥177.5908 ¥131.5207 ¥109.271 ¥107.7794 报价报价	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-264-3	N-Channel	1 Channel	250 V	120 A	24 mOhms	20 V	- 55 C	+ 175 C	700 W	Enhancement	HiPerFET	Tube

IXFK120N25 MOSFET

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