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RoHS

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IXSH35N140A

Mouser编号：

747-IXSH35N140A

制造商编号：

IXSH35N140A

制造商：

IXYS

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 70 Amps 1400V 4 Rds

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

IXSH35N140A 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.4 kV
集电极—射极饱和电压:	4 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	IXSH35N140
封装:	Tube
商标:	IXYS
集电极最大连续电流 Ic:	70 A
高度:	21.46 mm
长度:	16.26 mm
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
宽度:	5.3 mm
单位重量:	6.500 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IXSH35N140A 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541590000
USHTS:: 8541590080
JPHTS:: 854159000
TARIC:: 8541590000
MXHTS:: 8541500100
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 不可用
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

IXYS

具有650V额定电压、35A至220A电流范围以及低栅极电荷。

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XPT™ GenX5™沟槽式IGBT

第5代沟槽式IGBT，具有方形反向偏置安全工作区和650V击穿电压。

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IXGA20N250HV高压IGBT

方形RBSOA、10μs短路能力，具有2500V V_CES、12A I_C110和3.1V V_CE(sat)。

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IXBx14N300HV反向导通BiMOSFET™ IGBT

3000V、14A器件，结合了MOSFET和IGBT的优势。

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IXYx110N120A4 1200 V XPT™ GenX4™沟槽式IGBT

具有超低V_sat，设计用于高达5kHz的开关频率。

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供货情况

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