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IXTA160N10T MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds IXTA160N10T IXYS 300: ¥29.3687 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 IXTA160N10T Mouser 零件编号 747-IXTA160N10T	IXYS	MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds 了解更多关于IXYS gen1 trench gate mosfets 的信息	数据表	无库存交货期 23 周	¥29.3687 ¥29.1201	最低： 300 倍数： 50			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	160 A	7 mOhms	- 55 C	+ 175 C	430 W	Enhancement	HiPerFET	Tube
	MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds IXTA160N10T7 IXYS 300: ¥30.5213 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 IXTA160N10T7 Mouser 零件编号 747-IXTA160N10T7	IXYS	MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds 了解更多关于IXYS gen1 trench gate mosfets 的信息	数据表	无库存交货期 23 周	¥30.5213 ¥30.4422 ¥30.2727	最低： 300 倍数： 50			Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	100 V	160 A	7 mOhms	- 55 C	+ 175 C	430 W	Enhancement	HiPerFET	Tube

IXTA160N10T MOSFET

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