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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V MRFE6VP61K25HR5 NXP Semiconductors 1: ¥4,160.8069 58库存量 100预期 2026/12/1 寿命结束	制造商零件编号 MRFE6VP61K25HR5 Mouser 零件编号 841-MRFE6VP61K25HR5 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V	数据表	58库存量 100预期 2026/12/1	剪切带 ¥4,160.8069 ¥3,596.7109 ¥3,470.5125 卷轴 ¥3,367.5921 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 50
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V MRFE6VP61K25HR6 NXP Semiconductors 1: ¥3,959.0567 无库存交货期 53 周寿命结束	制造商零件编号 MRFE6VP61K25HR6 Mouser 零件编号 841-MRFE6VP61K25HR6 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V	数据表	无库存交货期 53 周	剪切带 ¥3,959.0567 ¥3,422.3067 ¥3,288.4695 ¥3,207.5276 卷轴 ¥3,207.5276 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 150
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230HS MRFE6VP61K25HSR5 NXP Semiconductors 1: ¥3,797.3311 69库存量寿命结束	制造商零件编号 MRFE6VP61K25HSR5 Mouser 零件编号 841-MRFE6VP61K25HSR5 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230HS	数据表	69库存量	剪切带 ¥3,797.3311 ¥3,282.5596 ¥3,172.701 卷轴 ¥3,021.7443 查看报价 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 50
Sub-GHz开发工具 MRFE6VP6300H 87.5-108 MHz Reference Circuit MRFE6VP6300-88 NXP Semiconductors 1: ¥20,001.7119 1库存量	制造商零件编号 MRFE6VP6300-88 Mouser 零件编号 771-MRFE6VP6300-88	NXP Semiconductors	Sub-GHz开发工具 MRFE6VP6300H 87.5-108 MHz Reference Circuit 了解更多关于NXP Semiconductors nxp rf reference circuits 的信息	数据表	1库存量	¥20,001.7119	最低： 1 倍数： 1

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