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半导体
分立半导体
分立元件和电源模块
智能功率模 - IPM
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NFAM5065L4B 智能功率模 - IPM
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分立元件和电源模块
智能功率模 - IPM
类型
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
集电极—发射极最大电压 VCEO
Pd-功率耗散
最大工作温度
3-Phase
3-Phase IGBT Inverter
Intelligent Power Module
重置
1.65 V
650 V
重置
50 A
重置
650 V
重置
125 W
重置
+ 125 C
+ 150 C
重置
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类型
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
集电极—发射极最大电压 VCEO
封装 / 箱体
安装风格
技术
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
智能功率模 - IPM 3 PHASE INVERTER IPM 650 V, 50A
NFAM5065L4B
onsemi
1:
¥277.5167
89
库存量
360
在途量
制造商零件编号
NFAM5065L4B
Mouser 零件编号
863-NFAM5065L4B
onsemi
智能功率模 - IPM 3 PHASE INVERTER IPM 650 V, 50A
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关于onsemi on semi nfam3065l4b nfam5065l4b modules
的信息
数据表
89
库存量
360
在途量
备用包装
1
¥277.5167
9
¥191.648
108
¥182.2238
购买
最低:
1
倍数:
1
详细信息
3-Phase
650 V
DIP-39
Through Hole
Si
- 40 C
+ 150 C
智能功率模 - IPM SPM31 650V/50A INVERTER IPM LOW NOISE
NFAM5065L4BTL
onsemi
1:
¥232.5992
138
库存量
制造商零件编号
NFAM5065L4BTL
Mouser 零件编号
863-NFAM5065L4BTL
onsemi
智能功率模 - IPM SPM31 650V/50A INVERTER IPM LOW NOISE
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关于onsemi nfam ipms
的信息
数据表
138
库存量
1
¥232.5992
9
¥167.0027
购买
最低:
1
倍数:
1
详细信息
3-Phase IGBT Inverter
650 V
50 A
650 V
DIP-39
Through Hole
Si
125 W
- 40 C
+ 125 C
智能功率模 - IPM 3 PHASE INVERTER IPM
NFAM5065L4BBA
onsemi
1:
¥249.391
90
库存量
新产品
制造商零件编号
NFAM5065L4BBA
Mouser 零件编号
863-NFAM5065L4BBA
新产品
onsemi
智能功率模 - IPM 3 PHASE INVERTER IPM
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的信息
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90
库存量
1
¥249.391
9
¥180.9017
购买
最低:
1
倍数:
1
最大:
9
详细信息
Intelligent Power Module
1.65 V
50 A
DIP-39
Through Hole
Si
125 W
- 40 C
+ 125 C
智能功率模 - IPM SPM31 650V/50A INVERTER IPM LOW NOISE
NFAM5065L4BL
onsemi
1:
¥249.2215
31
库存量
制造商零件编号
NFAM5065L4BL
Mouser 零件编号
863-NFAM5065L4BL
onsemi
智能功率模 - IPM SPM31 650V/50A INVERTER IPM LOW NOISE
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关于onsemi nfam ipms
的信息
数据表
31
库存量
1
¥249.2215
9
¥177.1727
108
¥176.845
购买
最低:
1
倍数:
1
3-Phase IGBT Inverter
650 V
50 A
650 V
DIP-39
Through Hole
Si
- 40 C
+ 125 C
智能功率模 - IPM 3 PHASE INVERTER IPM 650 V, 50A
NFAM5065L4BT
onsemi
1:
¥266.9286
270
在途量
制造商零件编号
NFAM5065L4BT
Mouser 零件编号
863-NFAM5065L4BT
onsemi
智能功率模 - IPM 3 PHASE INVERTER IPM 650 V, 50A
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数据表
270
在途量
备用包装
1
¥266.9286
9
¥217.7962
108
¥192.3938
504
¥182.2238
购买
最低:
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倍数:
1
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3-Phase
650 V
DIP-39
Through Hole
Si
- 40 C
+ 150 C
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