NTBG080N120SC1

Name: onsemi NTBG080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG080N120SC1
Price: 100.06 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTBG080N120SC1

制造商编号：

NTBG080N120SC1

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

数据表:

NTBG080N120SC1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-7
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	30 A
Rds On-漏源导通电阻:	110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 15 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.3 V
Qg-栅极电荷:	56 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	179 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	9 ns
正向跨导 - 最小值:	11 S
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	12 ns
系列:	NTBG080N120SC1
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	21 ns
典型接通延迟时间:	12 ns

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数据表

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PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET

电动汽车充电、能量储存、不间断电力系统 (UPS) 和太阳能等能源基础设施应用正在将系统功率水平提升到数百千瓦甚至兆瓦。这些大功率应用采用半桥、全桥和三相拓扑，逆变器和BLDC的工作循环多达六个开关。根据功率等级和开关速度，系统设计人员需要采用各种开关技术，包括硅、IGBT和SiC，以满足最佳应用要求。

M1 EliteSiC MOSFET

onsemi M1 EliteSiC MOSFET具有1200V和1700V额定电压。 onsemi M1 MOSFET设计用于满足要求可靠性和效率的大功率应用需求。 M1 EliteSiC MOSFET采用多种封装选项，包括D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD和裸片。

1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET

安森美 (onsemi) 1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET与硅器件相比，具有出色的开关性能和高可靠性。这些MOSFET具有低导通电阻，可确保低电容和低栅极电荷。1200V EliteSiC MOSFET可实现的系统优势包括提高效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI以及减小系统尺寸。这些MOSFET具有阻断电压、高速开关和低电容，工作温度范围为-55°C至+175°C。1200V SiC MOSFET符合AEC-Q101车载标准和RoHS指令。这些MOSFET适合用于升压逆变器、充电桩、DC-DC逆变器、DC-DC转换器、车载充电器 (OBC)、电机控制、工业电源和服务器电源。