NTH4L030N120M3S

Name: onsemi NTH4L030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L030N120M3S
Price: 96.7 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTH4L030N120M3S

制造商编号：

NTH4L030N120M3S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 30MOHM 1200V M3

数据表:

NTH4L030N120M3S 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Rds On-漏源导通电阻:	30 Ohms
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
系列:	NTH4L030N120M3S
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

M3S EliteSiC MOSFET

安森美 (onsemi) M3S EliteSiC MOSFET 是适用于采用硬开关拓扑的高频开关应用解决方案。安森美 (onsemi) M3S MOSFET旨在优化性能和效率。与1200V 20mΩ M1同类产品相比，该设备的总开关损耗 (Etot) 显著降低了约40%。M3S EliteSiC MOSFET非常适合各种应用，包括太阳能发电系统、车载充电器和电动汽车 (EV) 充电站。