NTH4L095N065SC1

onsemi
863-NTH4L095N065SC1
NTH4L095N065SC1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V

数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
31 A
105 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
50 nC
- 55 C
+ 175 C
129 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 9 ns
封装: Tube
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 12 ns
系列: NTH4L095N065SC1
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
晶体管极性: N-Channel
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

650V碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美（onsemi）650V碳化硅 (SiC) MOSFET与硅器件(Si)相比可提供出色的开关性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。优势包括效率高、工作频率快、功率密度高、EMI低以及系统尺寸小。

库存量: 422

库存：
422 可立即发货
生产周期：
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥82.1397 ¥82.14
¥45.3243 ¥453.24
¥39.9568 ¥4,794.82

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