.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

NVBYST0D8N08X MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 2

已应用过滤器:

封装 / 箱体

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Qg-栅极电荷

Pd-功率耗散

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB8) NVBYST0D8N08XTXG onsemi 1: ¥66.67 1,259库存量新产品	制造商零件编号 NVBYST0D8N08XTXG Mouser 零件编号 863-NVBYST0D8N08XTXG 新产品	onsemi	MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB8) 了解更多关于onsemi nvbyst0d8n08x mosfet 的信息	数据表	1,259库存量	剪切带 ¥66.67 ¥46.9854 ¥37.968 卷轴 ¥37.968	最低： 1 倍数： 1 最大： 150 : 1,500			Si	SMD/SMT	DFLPAK-16	N-Channel	1 Channel	80 V	643 A	790 uOhms	20 V	3.6 V	182 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	PowerTrench	Reel, Cut Tape
	MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 NVBYST0D6N08XTXG onsemi 1: ¥78.9983 900库存量 3,000在途量新产品	制造商零件编号 NVBYST0D6N08XTXG Mouser 零件编号 863-NVBYST0D6N08XTXG 新产品	onsemi	MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 了解更多关于onsemi nvbyst0d6n08x 80v power mosfet 的信息	数据表	900库存量 3,000在途量订单发货日期制造商编号： NVBYST0D6N08XTXG 库存： 900 可立即发货在途量: 1,500 预期 2026/11/18 1,500 预期 2026/12/4 生产周期： 52 周	剪切带 ¥78.9983 ¥55.6638 ¥44.9966 卷轴 ¥44.9966	最低： 1 倍数： 1 最大： 150 : 1,500			Si	SMD/SMT	TCPAK1012	N-Channel	1 Channel	80 V	767 A	640 uOhms	20 V	3.6 V	228 nC	- 55 C	+ 175 C	750 W	Enhancement	PowerTrench	Reel, Cut Tape

NVBYST0D8N08X MOSFET

已应用过滤器:

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持