NVDSH20120C

Name: onsemi NVDSH20120C
Brand: onsemi
SKU: 863-NVDSH20120C
Price: 93.18 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NVDSH20120C

制造商编号：

NVDSH20120C

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

数据表:

NVDSH20120C 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-2
配置:	Single
If - 正向电流:	20 A
Vrrm - 重复反向电压:	1.2 kV
Vf - 正向电压:	1.38 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	119 A
Ir - 反向电流 :	200 uA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Vr - 反向电压 :	1.2 kV
系列:	NVDSH20120C
封装:	Tube
商标:	onsemi
Pd-功率耗散:	214 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	30
子类别:	Diodes & Rectifiers
商标名:	EliteSiC

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数据表

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

D3 EliteSiC二极管

onsemi D3 EliteSiC二极管是一套用于需要大功率PFC和输出整流之应用的解决方案。 onsemi D3的最大额定电压为1200V。这些二极管具有TO-247-2LD和TO-247-3LD两种封装选项，为各种设计提供灵活性。D3 EliteSiC二极管针对高温操作进行了优化，具有低串联电阻温度依赖性，即使在极端条件下也能确保稳定可靠的性能。