NVT2016N090M2

Name: onsemi NVT2016N090M2
Brand: onsemi
SKU: 863-NVT2016N090M2
Price: 165.72 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVT2016N090M2

制造商编号：

NVT2016N090M2

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET T2PAK SIC 650V M2

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

NVT2016N090M2 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	T2PAK-7
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	900 V
Id-连续漏极电流:	148 A
Rds On-漏源导通电阻:	23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.3 V
Qg-栅极电荷:	250 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	789 W
通道模式:	Enhancement
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	14 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	SiC MOSFET
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	27 ns
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	50 ns
典型接通延迟时间:	23 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NVT2016N090M2 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVT201xN0 M2 SiC N沟道MOSFET

与现存的Si技术相比，安森美 (onsemi) NVT201xN0 M2 SiC N沟道MOSFET提供更高的电压操作、更宽的温度范围和更高的开关频率。这些MOSFET提供较低的有效输出电容和超低的栅极电荷，从而实现更低的切换损耗和更高的切换速度能力。安森美 (onsemi) NVT201xN0 M2 SiC N沟道MOSFET经100% UIS测试，且符合AEC-Q101标准。