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NXH200B100H4F2 IGBT 模块

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	产品	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	在25 C的连续集电极电流	栅极—射极漏泄电流	Pd-功率耗散	封装 / 箱体	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	技术	封装
IGBT 模块 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM onsemi NXH200B100H4F2SG NXH200B100H4F2SG onsemi 1: ¥1,206.6592 20库存量工厂特别订单	制造商零件编号 NXH200B100H4F2SG Mouser 零件编号 863-NXH200B100H4F2SG 工厂特别订单	onsemi	IGBT 模块 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM	数据表	20库存量	¥1,206.6592 ¥1,171.7535	最低： 1 倍数： 1		IGBT Silicon Modules		1 kV	1.8 V	100 A	800 nA	93 W	F2	- 40 C	+ 150 C	Screw Mount	Si	Tray
IGBT 模块 MASS MARKET GEN3 Q2BOOST WITH PRESS-FIT PIN NXH600B100H4Q2F2PG onsemi 1: ¥2,245.3213 36库存量工厂特别订单	制造商零件编号 NXH600B100H4Q2F2PG Mouser 零件编号 863-NXH600B1H4Q2F2PG 工厂特别订单	onsemi	IGBT 模块 MASS MARKET GEN3 Q2BOOST WITH PRESS-FIT PIN 了解更多关于onsemi nxh600b100h4q2f2sg module 的信息	数据表	36库存量	¥2,245.3213 ¥1,946.8883	最低： 1 倍数： 1		IGBT Modules	Single	1 kV	1.69 V		1 uA	187.5 mW	PIM-44	- 40 C	+ 150 C	Press Fit	SiC, Si	Tray
IGBT 模块 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM NXH200B100H4F2SG-R onsemi 1: ¥1,730.6628 19库存量寿命结束	制造商零件编号 NXH200B100H4F2SG-R Mouser 零件编号 863-H200B100H4F2SG-R 寿命结束	onsemi	IGBT 模块 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM	数据表	19库存量	¥1,730.6628 ¥1,546.6197	最低： 1 倍数： 1	否	Boost Power Modules		1 kV	1.8 V	100 A	800 nA	93 W	F2	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	Si	Tray

NXH200B100H4F2 IGBT 模块

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