PSMN6R8-40HSX

Name: Nexperia PSMN6R8-40HSX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN6R8-40HSX
Price: 17.42 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

771-PSMN6R8-40HSX

制造商编号：

PSMN6R8-40HSX

制造商：

Nexperia

说明：

MOSFET PSMN6R8-40HS/SOT1205/LFPAK56D

数据表:

PSMN6R8-40HSX 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	LFPAK-56D-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	40 A
Rds On-漏源导通电阻:	6.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	28.9 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	64 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Nexperia
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
零件号别名:	934665402115

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PSMN6R8-40HSX 数据表 (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

PSMN6R1 N沟道MOSFET

Nexperia PSMN6R1 N沟道MOSFET是一款双逻辑电平N沟道MOSFET，采用LFPAK56D（双电源SO8）封装。Nexperia MOSFET采用TrenchMOS技术。这些器件达到重复雪崩等级，可耐受175°C温度。

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采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。

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库存量: 1,593

库存：: 1,593 可立即发货

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生产周期：: 16 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥19.6846	¥19.68
	¥10.509	¥105.09
	¥8.5202	¥852.02
	¥6.8365	¥3,418.25
	¥5.3336	¥5,333.60
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥5.2771	¥7,915.65
	¥5.0737	¥15,221.10

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

PSMN6R8-40HSX

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说明： MOSFET PSMN6R8-40HS/SOT1205/LFPAK56D

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