R6009KNX MOSFET

结果: 3
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
数据表
133库存量
¥24.1481
¥11.9893
¥11.0062
¥8.5993
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最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 500 mOhms 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 9A N-CH MOSFET
数据表
1,727库存量
¥31.5948
¥16.046
¥14.5544
¥11.9102
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最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 500V 9A 1st Gen, for Auto
数据表
449库存量
剪切带
¥28.7811
¥18.6902
¥12.9046
卷轴
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最低： 1
倍数： 1
: 500
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 500 V 9 A 720 mOhms 30 V 4.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape