R6013VND3TL1

ROHM Semiconductor
755-R6013VND3TL1
R6013VND3TL1

制造商:

说明:
MOSFET TO252 650V 39A N-CH MOSFET

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
300 mOhms
30 V
6.5 V
21 nC
- 55 C
+ 150 C
131 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 25 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
零件号别名: R6013VND3
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

600V第四代PrestoMOS Super Junction MOSFET

ROHM Semiconductor 600V第四代PrestoMOS™超级结MOSFET利用原创专利技术加速寄生二极管,获得超快反向恢复特性 实现低功耗。 与IGBT实施相比,PrestoMOS设计在轻负载时可将功率损耗降低约58%。此外,提高开启MOSFET所需的参考电压可防止自导通(这是造成损耗的主要原因之一)。经过优化的内置寄生二极管改善了Super Junction MOSFET的软恢复指数,可降低可能导致故障的噪声。

库存量: 5,047

库存:
5,047 可立即发货
生产周期:
23 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于5047的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥29.945 ¥29.95
¥16.4641 ¥164.64
¥14.8934 ¥1,489.34
¥12.3283 ¥6,164.15
¥12.2379 ¥12,237.90
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)
¥11.4921 ¥28,730.25