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R6030ENZ MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	封装
	MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Low Noise R6030ENZC17 ROHM Semiconductor 1: ¥71.6307 184库存量	制造商零件编号 R6030ENZC17 Mouser 零件编号 755-R6030ENZC17	ROHM Semiconductor	MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Low Noise 了解更多关于ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets 的信息	数据表	184库存量	¥71.6307 ¥38.1375 ¥35.5724 ¥35.482 ¥33.335	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-3PF-3	N-Channel	1 Channel	600 V	30 A	130 mOhms	20 V	4 V	85 nC	- 55 C	+ 150 C	120 W	Enhancement	Tube
	MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Low Noise R6030ENZ4C13 ROHM Semiconductor 1: ¥89.9932 600预期 2026/11/3	制造商零件编号 R6030ENZ4C13 Mouser 零件编号 755-R6030ENZ4C13	ROHM Semiconductor	MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Low Noise 了解更多关于ROHM Semiconductor rohm super junction mos en kn 的信息	数据表	600预期 2026/11/3	¥89.9932 ¥50.3754 ¥46.5673 ¥43.505	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	30 A	130 mOhms	20 V	2 V	85 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W	Enhancement	Tube

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