R6030JNZ4C13

Name: ROHM Semiconductor R6030JNZ4C13
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R6030JNZ4C13
Price: 85.79 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-R6030JNZ4C13

制造商编号：

R6030JNZ4C13

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover

数据表:

R6030JNZ4C13 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	30 A
Rds On-漏源导通电阻:	143 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	7 V
Qg-栅极电荷:	74 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	370 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PrestoMOS
封装:	Tube
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	25 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	26 ns
系列:	BM14270MUV-LB
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	70 ns
典型接通延迟时间:	37 ns
零件号别名:	R6030JNZ4
单位重量:	6 g

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Test/Quality Data

REACH Regulation (PDF)

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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