R6035ENZ4C13

Name: ROHM Semiconductor R6035ENZ4C13
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R6035ENZ4C13
Price: 67.05 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-R6035ENZ4C13

制造商编号：

R6035ENZ4C13

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise

数据表:

R6035ENZ4C13 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	35 A
Rds On-漏源导通电阻:	102 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	110 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	379 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	80 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	80 ns
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	210 ns
典型接通延迟时间:	40 ns
零件号别名:	R6035ENZ4

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PCN

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Specification Sheets

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合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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