R6035WNJ2TRDC

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Mouser编号：

755-R6035WNJ2TRDC

制造商编号：

R6035WNJ2TRDC

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Nch 600V 95m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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交货限制:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TOLL-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	35 A
Rds On-漏源导通电阻:	114 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	46 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	347 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	10 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	25 ns
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	81 ns
典型接通延迟时间:	34 ns

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合规代码

USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

600V超接合点（SJ）MOSFET

ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET旨在满足广泛应用中对更小、更高效电源日益增长的需求。这些SJ MOSFET设计用于R60xxXNx系列和PrestoMOS™ R60xxWNx系列的新型600V SJ MOSFET。紧凑薄型SJ封装选项具有出色的散热性能，非常适合需要节省空间和更高功率密度的应用，包括AI服务器和工业设备电源。