R6049YNX3C16

Name: ROHM Semiconductor R6049YNX3C16
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R6049YNX3C16
Price: 56.36 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

755-R6049YNX3C16

制造商编号：

R6049YNX3C16

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Nch 600V 49A, TO-220AB, Power MOSFET: R6049YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.

数据表:

R6049YNX3C16 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220AB-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	49 A
Rds On-漏源导通电阻:	82 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	6 V
Qg-栅极电荷:	65 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	448 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	19 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	33 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	91 ns
典型接通延迟时间:	38 ns

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数据表

R6049YNX3C16 数据表

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

R6049YN N沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor R6049YN N沟道功率MOSFET为开关应用提供高速开关和低导通电阻。这些单通道增强模式器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有600V漏源击穿电压、22A或±49±A连续漏极电流以及65nC总栅极电荷。ROHM R6049YN N沟道功率MOSFET采用TO-220AB-3、TO-220FM-3和TO-247G-3封装选项。