R6055VNXC7G

Name: ROHM Semiconductor R6055VNXC7G
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R6055VNXC7G
Price: 68.88 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-R6055VNXC7G

制造商编号：

R6055VNXC7G

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET TO220 650V 165A N-CH MOSFET

数据表:

R6055VNXC7G 数据表

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220FM-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	23 A
Rds On-漏源导通电阻:	71 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	6.5 V
Qg-栅极电荷:	80 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	100 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	26 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	35 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	105 ns
典型接通延迟时间:	35 ns
零件号别名:	R6055VNX

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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