R6509ENXC7G

Name: ROHM Semiconductor R6509ENXC7G
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R6509ENXC7G
Price: 26.94 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-R6509ENXC7G

制造商编号：

R6509ENXC7G

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET TO220 650V 9A N-CH MOSFET

数据表:

R6509ENXC7G 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220FM-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	9 A
Rds On-漏源导通电阻:	585 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	24 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	48 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	25 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	30 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	70 ns
典型接通延迟时间:	20 ns
零件号别名:	R6509ENX

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数据表

R6509ENXC7G 数据表

Specification Sheets

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

R60/R65 N通道功率MOSFET

ROHM Semiconductor R60/R65 N通道功率MOSFET提供单通道输出，漏源电压为600V或650V，采用TO-220FM-3/SOT-223-3封装。R60/R65 MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C/155°C，功率耗散选项为7.8W、6.6W、12.3W、9.1W、40W、46W、48W、53W、68W、74W或86W。R60/R65 N通道功率MOSFET非常适合用于开关应用。