R6524ENXC7G

ROHM Semiconductor
755-R6524ENXC7G
R6524ENXC7G

制造商：

说明：
MOSFET TO220 650V 24A N-CH MOSFET

数据表:
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ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-220FM-3
- 55 C
+ 150 C
Tube
商标: ROHM Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 55 ns
Id-连续漏极电流: 24 A
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 74 W
产品类型: MOSFETs
Qg-栅极电荷: 70 nC
Rds On-漏源导通电阻: 185 mOhms
上升时间: 55 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
技术: Si
晶体管极性: N-Channel
晶体管类型: Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 180 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
零件号别名: R6524ENX
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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合规代码
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

R60/R65 N通道功率MOSFET

ROHM Semiconductor R60/R65 N通道功率MOSFET提供单通道输出，漏源电压为600V或650V，采用TO-220FM-3/SOT-223-3封装。R60/R65 MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C/155°C，功率耗散选项为7.8W、6.6W、12.3W、9.1W、40W、46W、48W、53W、68W、74W或86W。R60/R65 N通道功率MOSFET非常适合用于开关应用。

库存量: 1,992

库存：
1,992 可立即发货
生产周期：
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于1992的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥53.3473 ¥53.35
¥28.2839 ¥282.84
¥25.8092 ¥2,580.92
¥22.4983 ¥11,249.15

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