RD3G03BATTL1

ROHM Semiconductor
755-RD3G03BATTL1
RD3G03BATTL1

制造商：

说明：
MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解ROHM Semiconductor RD3G03BATTL1详情

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-3
P-Channel
1 Channel
40 V
35 A
19.1 mOhms
10 V
1 V
38 nC
- 55 C
+ 150 C
56 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 78 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 61 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P - Channel
典型关闭延迟时间: 125 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
零件号别名: RD3G03BAT
单位重量: 330 mg
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

Application Notes

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

N沟道汽车级功率MOSFET

ROHM Semiconductor  N沟道汽车级功率MOSFET,具有低导通电阻，耗散功率高达142W。该系列采用小型大功率封装，显著减小了安装面积。 这些MOSFET符合AEC-Q101标准和RoHS指令，不含卤素。ROHM N沟道汽车级功率MOSFET的理想应用包括 高级辅助驾驶系统 (ADAS)、车身、照明和信息娱乐。

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

库存量: 1,185

库存：
1,185
可立即发货
在途量:
2,500
预期 2027/3/1
生产周期：
18
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥18.1139 ¥18.11
¥8.7688 ¥87.69
¥7.8196 ¥781.96
¥6.215 ¥3,107.50
¥5.9777 ¥5,977.70
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥5.1415 ¥12,853.75
¥5.1189 ¥25,594.50

出现意外错误。


有问题需要帮助？请访问帮助中心。
如对特定订单有疑问，请登录您的账户。

如遇其他问题，请致电 800-346-6873 或发送邮件至 help@mouser.com 联系我们。