RD3G07BATTL1

ROHM Semiconductor
755-RD3G07BATTL1
RD3G07BATTL1

制造商：

说明：
MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -70A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-3
P-Channel
1 Channel
40 V
70 A
7.1 mOhms
10 V
1 V
105 nC
- 55 C
+ 150 C
101 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 200 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 90 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P - Channel
典型关闭延迟时间: 270 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
零件号别名: RD3G07BAT
单位重量: 330 mg
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已选择的属性: 0

数据表

Application Notes

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

N沟道汽车级功率MOSFET

ROHM Semiconductor  N沟道汽车级功率MOSFET,具有低导通电阻，耗散功率高达142W。该系列采用小型大功率封装，显著减小了安装面积。 这些MOSFET符合AEC-Q101标准和RoHS指令，不含卤素。ROHM N沟道汽车级功率MOSFET的理想应用包括 高级辅助驾驶系统 (ADAS)、车身、照明和信息娱乐。

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

库存量: 9,412

库存：
9,412 可立即发货
生产周期：
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥27.3799 ¥27.38
¥13.7295 ¥137.30
¥12.1588 ¥1,215.88
¥10.0118 ¥5,005.90
¥9.7632 ¥9,763.20
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥9.0965 ¥22,741.25
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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