RD3L01BATTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3L01BATTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3L01BATTL1
Price: 13.25 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

755-RD3L01BATTL1

制造商编号：

RD3L01BATTL1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

数据表:

RD3L01BATTL1 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解ROHM Semiconductor RD3L01BATTL1详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-3
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	10 A
Rds On-漏源导通电阻:	84 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	15.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	26 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	47 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	22 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P - Channel
典型关闭延迟时间:	86 ns
典型接通延迟时间:	9.5 ns
零件号别名:	RD3L01BAT
单位重量:	330 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

RD3L01BATTL1 数据表

Application Notes

Application Note (PDF)

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

N沟道汽车级功率MOSFET

ROHM Semiconductor N沟道汽车级功率MOSFET,具有低导通电阻，耗散功率高达142W。该系列采用小型大功率封装，显著减小了安装面积。这些MOSFET符合AEC-Q101标准和RoHS指令，不含卤素。ROHM N沟道汽车级功率MOSFET的理想应用包括高级辅助驾驶系统 (ADAS)、车身、照明和信息娱乐。

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

特色产品

ROHM SEMICONDUCTOR

600V超接合点（SJ）MOSFET

紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。

了解更多的信息

RH7G03BBJFRA P沟道功率MOSFET

该功率MOSFET的VDSS额定值为-40V，ID额定值（VDS =-10V）为±22A。

了解更多的信息

RJ1P10BAT P沟道功率MOSFET

该MOSFET的VDSS额定值为-100V，ID额定值（VDS=10V）为±105A。

了解更多的信息

RD3x汽车N沟道功率MOSFET

AEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。

了解更多的信息

RQxAT P沟道MOSFET

采用表面贴装封装，具有低导通电阻，且100%经过Rg和UIS测试。

了解更多的信息

库存量: 10,070

库存：: 10,070 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 18 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥14.9725	¥14.97
	¥7.1416	¥71.42
	¥6.3732	¥637.32
	¥5.0172	¥2,508.60
	¥4.8251	¥4,825.10
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥4.1132	¥10,283.00
	¥4.0906	¥20,453.00
	¥4.0002	¥40,002.00

RD3L01BATTL1

制造商： ROHM Semiconductor

说明： MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

规格

文件 (4)

数据表

Application Notes

Specification Sheets

环境文件

产品与贸易合规

更多信息

N沟道汽车级功率MOSFET

电动汽车 (EV) 解决方案

客户还购买了

特色产品 ROHM SEMICONDUCTOR

库存量: 10,070

定价 (含13% 增值税)

快速查看

出现意外错误。

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

特色产品

ROHM SEMICONDUCTOR