RD3N01BATTL1

ROHM Semiconductor
755-RD3N01BATTL1
RD3N01BATTL1

制造商:

说明:
MOSFET Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET

寿命周期:
新产品:
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ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-3
P-Channel
1 Channel
80 V
10 A
163 mOhms
20 V
4 V
21 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 41 ns
正向跨导 - 最小值: 4.5 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 58 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
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已选择的属性: 0

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

N沟道汽车级功率MOSFET

ROHM Semiconductor  N沟道汽车级功率MOSFET,具有低导通电阻,耗散功率高达142W。该系列采用小型大功率封装,显著减小了安装面积。 这些MOSFET符合AEC-Q101标准和RoHS指令,不含卤素。ROHM N沟道汽车级功率MOSFET的理想应用包括 高级辅助驾驶系统 (ADAS)、车身、照明和信息娱乐。

库存量: 2,490

库存:
2,490 可立即发货
生产周期:
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥15.142 ¥15.14
¥7.2207 ¥72.21
¥6.441 ¥644.10
¥5.085 ¥2,542.50
¥4.8929 ¥4,892.90
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)
¥4.1697 ¥10,424.25
¥4.0567 ¥20,283.50