RD3N045ATTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3N045ATTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3N045ATTL1
Price: 11.93 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RD3N045ATTL1

制造商编号：

RD3N045ATTL1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET TO252 P-CH 80V 4.5A

寿命周期:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-3
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	4.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	750 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	5.9 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	17 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	7.3 ns
正向跨导 - 最小值:	1.4 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5.4 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	21 ns
典型接通延迟时间:	7.3 ns

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 2,360

库存：: 2,360 可立即发货

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生产周期：: 18 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥13.4809	¥13.48
	¥6.3845	¥63.85
	¥5.6952	¥569.52
	¥4.4635	¥2,231.75
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥3.6386	¥9,096.50
	¥3.6273	¥36,273.00
	¥3.503	¥87,575.00

RD3N045ATTL1

制造商： ROHM Semiconductor

说明： MOSFET TO252 P-CH 80V 4.5A

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