RD3P02BATTL1

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Mouser编号：

755-RD3P02BATTL1

制造商编号：

RD3P02BATTL1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -20A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

数据表:

RD3P02BATTL1 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-3
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	20 A
Rds On-漏源导通电阻:	116 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	39 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	56 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	91 ns
正向跨导 - 最小值:	8.5 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	16 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	115 ns
典型接通延迟时间:	14 ns

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

N沟道汽车级功率MOSFET

ROHM Semiconductor N沟道汽车级功率MOSFET,具有低导通电阻，耗散功率高达142W。该系列采用小型大功率封装，显著减小了安装面积。这些MOSFET符合AEC-Q101标准和RoHS指令，不含卤素。ROHM N沟道汽车级功率MOSFET的理想应用包括高级辅助驾驶系统 (ADAS)、车身、照明和信息娱乐。