RD3P07BBHTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3P07BBHTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3P07BBHTL1
Price: 29.94 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

755-RD3P07BBHTL1

制造商编号：

RD3P07BBHTL1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)

数据表:

RD3P07BBHTL1 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解ROHM Semiconductor RD3P07BBHTL1详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	80 A
Rds On-漏源导通电阻:	7.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	38 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	89 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	29 ns
正向跨导 - 最小值:	26 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	25 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	58 ns
典型接通延迟时间:	24 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

RD3P07BBHTL1 数据表

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

特色产品

ROHM SEMICONDUCTOR

600V超接合点（SJ）MOSFET

紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。

了解更多的信息

RH7G03BBJFRA P沟道功率MOSFET

该功率MOSFET的VDSS额定值为-40V，ID额定值（VDS =-10V）为±22A。

了解更多的信息

RJ1P10BAT P沟道功率MOSFET

该MOSFET的VDSS额定值为-100V，ID额定值（VDS=10V）为±105A。

了解更多的信息

RD3x汽车N沟道功率MOSFET

AEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。

了解更多的信息

RQxAT P沟道MOSFET

采用表面贴装封装，具有低导通电阻，且100%经过Rg和UIS测试。

了解更多的信息

库存量: 4,392

库存：: 4,392 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 18 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥33.8322	¥33.83
	¥17.2099	¥172.10
	¥15.5488	¥1,554.88
	¥12.9837	¥6,491.85
	¥12.9046	¥12,904.60
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥12.0797	¥30,199.25

RD3P07BBHTL1

分享此

制造商： ROHM Semiconductor

说明： MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)

规格

文件 (2)

数据表

Specification Sheets

环境文件

产品与贸易合规

更多信息

Silicon Power MOSFETs

电动汽车 (EV) 解决方案

客户还购买了

特色产品 ROHM SEMICONDUCTOR

库存量: 4,392

定价 (含13% 增值税)

快速查看

出现意外错误。

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)

特色产品

ROHM SEMICONDUCTOR