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RF4C100BCTCR

Name: ROHM Semiconductor RF4C100BCTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4C100BCTCR
Price: 10.25 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

755-RF4C100BCTCR

制造商编号：

RF4C100BCTCR

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -20V(Vdss), -10.0A(Id), (1.8V Drive)

数据表:

RF4C100BCTCR 数据表

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-2020-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	10 A
Rds On-漏源导通电阻:	15.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.2 V
Qg-栅极电荷:	23.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	86 ns
正向跨导 - 最小值:	12 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	43 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	110 ns
典型接通延迟时间:	16 ns
零件号别名:	RF4C100BC
单位重量:	771.020 mg

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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在途量:: 3,000

预期 2026/10/29
生产周期：: 28

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥11.5825	¥11.58
	¥5.4127	¥54.13
	¥4.8025	¥480.25
	¥3.8759	¥1,937.95
	¥3.7403	¥3,740.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥2.7911	¥8,373.30

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

RF4C100BCTCR

制造商： ROHM Semiconductor

说明： MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -20V(Vdss), -10.0A(Id), (1.8V Drive)

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