RF4E060AJTCR

Name: ROHM Semiconductor RF4E060AJTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4E060AJTCR
Price: 7.83 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

755-RF4E060AJTCR

制造商编号：

RF4E060AJTCR

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 6.0A(Id), (2.5V Drive)

数据表:

RF4E060AJTCR 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解ROHM Semiconductor RF4E060AJTCR详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-2020-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	6 A
Rds On-漏源导通电阻:	37 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.5 V
Qg-栅极电荷:	4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	5.1 ns
正向跨导 - 最小值:	3.1 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5.8 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	13 ns
典型接通延迟时间:	7.2 ns
零件号别名:	RF4E060AJ
单位重量:	771.020 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

RF4E060AJTCR 数据表

Other

Specification Sheets

Technical Resources

Test/Quality Data

RoHS (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Low-Gate Drive Voltage MOSFETs

ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs have a wide drive type of 0.9V to 10V. This wide drive type range offers support for applications ranging from a small signal to high power. ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs come in a wide choice of sizes as small as the microminiature package (0604 sizes). This variety of sizes helps to contribute to area space-saving in an application. These MOSFETs offer superior high-speed switching and low On-Resistance.