RF4P060BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF4P060BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4P060BGTCR
Price: 8.86 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RF4P060BGTCR

制造商编号：

RF4P060BGTCR

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 6.0A(Id), (4.5V Drive)

数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-2020-8S
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	6 A
Rds On-漏源导通电阻:	78 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	6.7 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	6 ns
正向跨导 - 最小值:	3.7 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	11 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	21 ns
典型接通延迟时间:	7.5 ns
零件号别名:	RF4P060BG

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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生产周期：: 28 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥10.0118	¥10.01
	¥4.633	¥46.33
	¥4.1132	¥411.32
	¥3.1866	¥1,593.30
	¥3.1188	¥3,118.80
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥2.7007	¥8,102.10
	¥2.5538	¥15,322.80
	¥2.2713	¥20,441.70

RF4P060BGTCR

制造商： ROHM Semiconductor

说明： MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 6.0A(Id), (4.5V Drive)

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