RGA80TS65EHRC11

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Mouser编号：

755-RGA80TS65EHRC11

制造商编号：

RGA80TS65EHRC11

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 7s Short-Circuit Tolerance, 650V 43A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive

寿命周期:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247N-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.55 V
栅极/发射极最大电压:	30 V
在25 C的连续集电极电流:	67 A
Pd-功率耗散:	208 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
资格:	AEC-Q101
封装:	Tube
商标:	ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流:	500 nA
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors

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Specification Sheets

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合规代码

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

650V第四代IGBT

ROHM Semiconductor 650V第四代IGBT专为汽车辅助系统和工业设备中需要高效率和可靠短路性能的电源而设计。该IGBT器件在650V汽车级别应用环境下，可实现1.55V的典型V_CE(sat)；其短路耐受能力在工作稳定(T_j)为25°C时，可持续维持7μs。650V IGBT包括35A至88A电流额定值的12个TO-247N封装，HR和EHR版本还具有内置快速恢复二极管。这些IGBT可在-40°C到+175°C温度范围内工作，是符合AEC-Q101汽车可靠性要求的产品。典型应用包括汽车电动压缩机、高压加热器、电机和压缩机驱动级、工业设备逆变器和功率开关电路。