RGS00TS65EHRC11

Name: ROHM Semiconductor RGS00TS65EHRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGS00TS65EHRC11
Price: 81.18 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RGS00TS65EHRC11

制造商编号：

RGS00TS65EHRC11

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 50A TRNCH

数据表:

RGS00TS65EHRC11 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247N-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	2.1 V
栅极/发射极最大电压:	30 V
在25 C的连续集电极电流:	88 A
Pd-功率耗散:	326 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
资格:	AEC-Q101
封装:	Tube
商标:	ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流:	200 nA
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
零件号别名:	RGS00TS65EHR

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

RGS场终止沟槽型车用IGBT

ROHM Semiconductor RGS场终止沟槽汽车用IGBT是符合AEC-Q101标准的汽车用IGBT，有1200V和650V型号可供选择。这些IGBT具有同类领先的低导通损耗，可减小尺寸并提高应用的效率。RGS IGBT采用原始沟槽栅极和薄晶圆技术。这些技术有助于实现低集电极－发射极饱和电压 (V CE_(sat)) 并降低开关损耗。ROHM Semiconductor RGS IGBT可为各种高电压和大电流应用提供更高的节能效果。