RGS30TSX2HRC11

Name: ROHM Semiconductor RGS30TSX2HRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGS30TSX2HRC11
Price: 62.15 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RGS30TSX2HRC11

制造商编号：

RGS30TSX2HRC11

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Automotive Field Stop Trench IGBT

数据表:

RGS30TSX2HRC11 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247N-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	2.1 V
栅极/发射极最大电压:	30 V
在25 C的连续集电极电流:	30 A
Pd-功率耗散:	267 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流:	500 nA
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
零件号别名:	RGS30TSX2HR

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ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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数据表

RGS30TSX2HRC11 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-15 (PDF)

Specification Sheets

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR AEC-Q101 IGBT

ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR AEC-Q101场终止沟槽型IGBT是10µs SCSOA（短路安全工作区）保证绝缘栅极双极晶体管，适合用于汽车和工业应用中的通用逆变器。RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR具有低导通损耗，有助于减小尺寸，提高效率。这些器件采用原始沟槽栅极和薄晶圆技术。这些技术有助于实现低集电极-发射极饱和电压 (V_CE(sat))，同时降低开关损耗。这些IGBT可在各种高压和大电流应用中进一步节能。

RGS场终止沟槽型车用IGBT

ROHM Semiconductor RGS场终止沟槽汽车用IGBT是符合AEC-Q101标准的汽车用IGBT，有1200V和650V型号可供选择。这些IGBT具有同类领先的低导通损耗，可减小尺寸并提高应用的效率。RGS IGBT采用原始沟槽栅极和薄晶圆技术。这些技术有助于实现低集电极－发射极饱和电压 (V CE_(sat)) 并降低开关损耗。ROHM Semiconductor RGS IGBT可为各种高电压和大电流应用提供更高的节能效果。