RGTV60TK65D 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 封装
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT 449库存量
¥66.2519
¥44.9175
¥32.4197
最低: 1
倍数: 1
Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 2us Short-Circuit Tol 650V 30A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT 570库存量
¥54.4321
¥36.725
¥27.0522
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 60 A 194 W - 40 C + 175 C Tube