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RoHS

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RGTV60TS65 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT RGTV60TS65GC11 ROHM Semiconductor 1: ¥53.3473 602库存量 NRND	制造商零件编号 RGTV60TS65GC11 Mouser 零件编号 755-RGTV60TS65GC11 NRND	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT	数据表	602库存量	¥53.3473 ¥30.3518 ¥24.3176 ¥22.826	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247N-3	Through Hole	Single	650 V	1.5 V	- 30 V, 30 V	60 A	194 W	- 40 C	+ 175 C	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT RGTV60TS65DGC11 ROHM Semiconductor 1: ¥65.427 450库存量 NRND	制造商零件编号 RGTV60TS65DGC11 Mouser 零件编号 755-RGTV60TS65DGC11 NRND	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT	数据表	450库存量	¥65.427 ¥43.7536 ¥32.5101 ¥29.7755 查看 ¥27.9562	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247N-3	Through Hole	Single	650 V	1.5 V	- 30 V, 30 V	60 A	194 W	- 40 C	+ 175 C	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 2us Short-Circuit Tol 650V 30A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT RGTV60TS65DGC13 ROHM Semiconductor 1: ¥54.4321 570库存量寿命结束	制造商零件编号 RGTV60TS65DGC13 Mouser 零件编号 755-RGTV60TS65DGC13 寿命结束	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 2us Short-Circuit Tol 650V 30A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT	数据表	570库存量	¥54.4321 ¥36.725 ¥27.0522 查看 ¥25.312	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247GE-3	Through Hole	Single	650 V	1.9 V	30 V	60 A	194 W	- 40 C	+ 175 C	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT RGTV60TS65GC13 ROHM Semiconductor 1: ¥45.8215 600库存量寿命结束	制造商零件编号 RGTV60TS65GC13 Mouser 零件编号 755-RGTV60TS65GC13 寿命结束	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT	数据表	600库存量	¥45.8215 ¥30.6004 ¥21.5039 查看 ¥20.5095 ¥20.1027	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247GE-3	Through Hole	Single	650 V	1.9 V	30 V	60 A	194 W	- 40 C	+ 175 C	Tube