RGTVX2TS65 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 封装
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Discrete Semiconductors, IGBT, 2 s Short-Circuit Tolerance, 650V 60A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 429库存量
¥68.6588
¥39.7873
¥33.5045
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 30 V, 30 V 111 A 319 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 60A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 600库存量
¥60.1386
¥40.6913
¥30.849
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 111 A 319 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 2us Short-Circuit Tol 650V 60A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT 395库存量
¥74.3653
¥50.9517
¥40.7817
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 111 A 319 W - 40 C + 175 C Tube