RGW00TS65 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 封装
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
无库存交货期 22 周
¥39.211
最低: 450
倍数: 450
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
无库存交货期 22 周
¥42.1829
最低: 450
倍数: 450
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
无库存交货期 24 周
¥39.7873
¥36.9736
最低: 450
倍数: 450
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
458库存量
¥113.7345
¥78.9079
¥75.5179
¥74.1958
最低: 1
倍数: 1
SiC TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switch 650V 50A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT 599库存量
¥60.6358
¥41.1094
¥31.188
¥29.2783
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 600库存量
¥52.3642
¥35.1543
¥25.6397
¥24.069
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube